化合物半导体抛光：碳化硅与氮化镓

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碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料性能优越，但“又硬又稳”也让抛光变得棘手：传统硅片抛光方案用不上，需要专门的材料和工艺。

难在哪

碳化硅莫氏硬度9.5，仅次于金刚石，机械去除困难；化学性质稳定，普通浆料难以化学改性；表面易留下划伤和亚表面损伤。

氮化镓衬底硬度高且脆，抛光也容易产生缺陷。

碳化硅常用金刚石磨料粗研+胶体二氧化硅或专用浆料CMP精抛：粗研去损伤层，CMP实现无损伤镜面。

氮化镓抛光用氧化铝或氧化铈浆料，配合特定pH和氧化剂，控制去除速率和表面质量。

抛光垫选软垫或复合垫，减少划伤；压力低、转速慢，避免亚表面损伤；浆料高纯，控制金属污染（化合物半导体对污染敏感）。

工艺窗口比硅片窄，参数微调影响大，需要精细控制。

化合物半导体表面要求“原子级平整+无损伤”：用原子力显微镜（AFM）测粗糙度，用X射线衍射或拉曼检测亚表面损伤。

第三代半导体的抛光，是“硬碰硬”的技术活：材料选对、工艺精细、检测严格，才能交出高质量衬底。